反滲透膜常用的清洗方法及藥劑配方（上）

一、反滲透膜元件的汙染物

在正常運行一段時間後，反滲透膜元件會受到在給水中可能存在的懸浮物質或難溶物質的汙染，這些汙染物中最常見的為碳酸鈣垢、硫酸鈣垢、金屬氧化物垢、矽沉積物及有機或生物沉積物。

汙染物的性質及汙染速度與給水條件有關，汙染是慢慢發展的，如果不早期采取措施，汙染將會在相對短的時間內損壞膜元件的性能。

定期檢測係統整體性能是確認膜元件發生汙染的一個好方法，不同的汙染物會對膜元件性能造成不同程度的損害。

下表列出了常見汙染物對膜性能的影響。

上表對應的常見清洗液如下：

按現場的分析狀況可根據具體情況具體搭配。

二、汙染物的去除

汙染物的去除可通過化學清洗和物理衝洗來實現，有時亦可通過改變運行條件來實現，作為一般的原則，當下列情形之一發生時應進行清洗。

1、在正常壓力下如出水流量降至正常值的10～15%；

2、為了維持正常的出水流量，經溫度校正後的給水壓力增加了10～15%；

3、出水水質降低10～15%。鹽透過率增加10～15%；

4、使用壓力增加10～15%；

5、RO各段間的壓差增加明顯（也許沒有儀表來監測這一跡象）；

三、常見汙染物及其去除方法

1、碳酸鈣垢

在阻垢劑添加係統出現故障或加酸係統出現故障而導致給水pH升高，那麽碳酸鈣就有可能沉積出來。應盡早發現碳酸鈣垢沉澱的發生，以防止生長的晶體對膜表麵產生損傷，如早期發現碳酸鈣垢，可以用降低給水pH至3.0～5.0之間運行1～2小時的方法去除。對沉澱時間更長的碳酸鈣垢，則應采用檸檬酸清洗液進行循環清洗或通宵浸泡。

注：應確保任何清洗液的pH不要低於2.0，盃則可能會RO膜元件造成損害，特別是在溫度較高時更應注意，最高的pH不應高於11.0。查使用氨水來提高pH，使用硫酸或鹽酸來降低pH值。

2、硫酸鈣垢

三聚磷酸鈉溶液（參見上表中三聚磷酸鈉溶液）是將硫酸鈣垢從反滲透膜表麵去除掉的最佳方法。

3、金屬氧化物垢

可以使用上麵所述的去除碳酸鈣垢的方法，很容易地去除沉積下來的氫氧化物（例如氫氧化鐵）。

4、矽垢

對於不是與金屬化物或有機物共生的矽垢，一般隻有通過專門的清洗方法才能將他們去除。

5、有機沉積物

有機沉積物（例如微生物粘泥或黴斑）可以使用上表清洗液3去除，為了防止再繁殖，可使用殺菌溶液在係統中循環、浸泡，一般需較長時間浸泡才能有效，如反滲透裝置停用三天時，最好采用消毒處理。

6、清洗液

清洗反滲透膜元件時建議采用上表所列的清洗液。確定清洗前對汙染物進行化學分析十分重要的，對分析結果的詳細分析比較，可保證選擇最佳的清洗劑及清洗方法，應記錄每次清洗時清洗方法及獲得的清洗效果，為在特定給水條件下，找出最佳的清洗方法提供依據。

對於無機汙染物建議使用清洗液1。對於硫酸鈣及有機物建議使用清洗液2。對於嚴重有機物汙染建議使用清洗液3。所有清洗可以在最高溫度為40℃下清洗60分鍾，所需用品量以每100加侖（379升）中加入量計，配製清洗液時按比例加入藥品及清洗用水，應采用不含遊離氯的反滲透產品水來配製溶液並混合均勻。

清洗時將清洗溶液以低壓大流量在膜的高壓側循環，此時膜元件仍裝壓力容器內而且需要用專門的清洗裝置來完成該工作。